快科技12月9日新闻，据媒体报道，三星已胜利开辟出冲破性的400层重叠NAND Flash闪存技巧，并已开端将该技巧转移到年夜范围出产线。这一停顿无望超出前未几已发布量产321层NAND Flash的SK海力士。三星打算在2025年国际固态电路集会（ISSCC）上具体先容其1Tb容量400层重叠TLC NAND Flash闪存，并估计于2025年下半年开端量产。市场专家猜测，假如过程放慢，量产可能会在2025年第二季度末开端。除了400层NAND Flash闪存，三星还打算增添其进步内存产物线的产量，包含在平泽园区装置新第9代（286层重叠）NAND Flash闪存出产设备，月产能为30000至40000片晶圆。以及在中国西安工场将128层重叠（V6）NAND Flash闪存出产线转换为236层重叠（V8）NAND Flash闪存产物制程。现在，三星在寰球NAND Flash闪存市场市占率为36.9%，面临SK海力士的竞争，三星的这一冲破显得尤为主要。【本文停止】如需转载请务必注明出处：快科技义务编纂：彩色文章内容告发]article_adlist-->
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