IT之家 2 月 26 日新闻，三星电子 DS 部分 CTO 宋在赫（???）在上周于旧金山举办的国际固态电路集会（ISSCC）上宣布主题报告，并展现了其晶圆键合、高温蚀刻跟钼利用等技巧。据先容，这些技巧将从 400 层的 NAND 闪存技巧开端利用，并且他还提到，“键合技巧可用于（在 NAND 地区）实现 1000 多层（重叠）”。IT之家注：晶圆键合是指分辨制作外围晶圆跟单位晶圆，而后将它们键合在一同构成单个半导体。
宋部长当天还公然展现了 1000 层 NAND 的“Multi-BV NAND”构造 PPT（上图），重叠四片晶圆（2+2）以攻破构造限度。现实上，早在 2022 年于硅谷举办的“2022 年三星技巧日”上，三星就许诺将在 2030 年之前开辟出 1000 层 NAND。固然，三星电子并不是独一一家研讨这些构造的公司。寰球第二年夜 NAND 闪存企业铠侠也在研讨相似的“多栈 CBA (CMOS directly Bonded to Array)”，其目的是到 2027 年开辟出 1000 层 3D NAND。长江存储则将该技巧定名为“Xtacking”，且早在 100 层以下的产物就曾经开端利用，而长江存储现在正在量产 270 层的 NAND 闪存。据 ZDNet 周一报道，三星将为此与长江存储树立配合关联。据 ZDNet 报道，三星之前在 NAND 出产上应用的是 COP（Cell on Peripheral）方式，此中外围电路被放置在一个晶圆上，而且单位重叠在顶部。但是，跟着层数的增添，上层外围的压力会影响牢靠性。业内子士表现，在单个晶圆上仅经由过程单位重叠的方法最多可重叠约 500 层 NAND，要想实现三星许诺的 1000 层 NAND 则弗成防止地用到多片晶圆。
除晶圆键合技巧外，三星还展现了为下一代 NAND 的大量量量产而筹备的高温蚀刻跟钼堆积等翻新技巧。高温蚀刻估计将用于 400 层或以上的 NAND 通孔，现在东京电子（TEL）与 Lam Research 正在开辟相干装备。高温蚀刻装备最年夜的特色是可能在极低的温度下坚持高速蚀刻，从而增加 NAND 蚀刻时期的重叠成绩。对此，三星电子跟?SK 海力士分辨压铸于?TEL 装备跟?Lam Research 装备。三星还筹备为字线（与晶体管源极局部衔接的线路，担任读取跟写入）资料引入钼（Mo）元素，以此代替钨（W）跟氮化钛（TiN）资料，从而年夜幅下降晶体管的“电阻率”。业内子士表现：“经由过程钨能够增加的层高曾经到达极限。假如应用钼则能够进一步增加 30% 至 40%。现在，TEL 跟 Lam 同样也在这一范畴停止竞争，而 Lam 公司曾经向三星电子供给了多台钼堆积装备。资料业界人士表现:“跟着新技巧的利用，继装备市场之后，资料市场也将阅历一场年夜动乱。重新一代 NAND 闪存开端，不只是先驱体，蚀刻液剂、能源气体等也将迎来大批变更。”
宋部长当天还公然展现了 1000 层 NAND 的“Multi-BV NAND”构造 PPT（上图），重叠四片晶圆（2+2）以攻破构造限度。现实上，早在 2022 年于硅谷举办的“2022 年三星技巧日”上，三星就许诺将在 2030 年之前开辟出 1000 层 NAND。固然，三星电子并不是独一一家研讨这些构造的公司。寰球第二年夜 NAND 闪存企业铠侠也在研讨相似的“多栈 CBA (CMOS directly Bonded to Array)”，其目的是到 2027 年开辟出 1000 层 3D NAND。长江存储则将该技巧定名为“Xtacking”，且早在 100 层以下的产物就曾经开端利用，而长江存储现在正在量产 270 层的 NAND 闪存。据 ZDNet 周一报道，三星将为此与长江存储树立配合关联。据 ZDNet 报道，三星之前在 NAND 出产上应用的是 COP（Cell on Peripheral）方式，此中外围电路被放置在一个晶圆上，而且单位重叠在顶部。但是，跟着层数的增添，上层外围的压力会影响牢靠性。业内子士表现，在单个晶圆上仅经由过程单位重叠的方法最多可重叠约 500 层 NAND，要想实现三星许诺的 1000 层 NAND 则弗成防止地用到多片晶圆。除晶圆键合技巧外，三星还展现了为下一代 NAND 的大量量量产而筹备的高温蚀刻跟钼堆积等翻新技巧。高温蚀刻估计将用于 400 层或以上的 NAND 通孔，现在东京电子（TEL）与 Lam Research 正在开辟相干装备。高温蚀刻装备最年夜的特色是可能在极低的温度下坚持高速蚀刻，从而增加 NAND 蚀刻时期的重叠成绩。对此，三星电子跟?SK 海力士分辨压铸于?TEL 装备跟?Lam Research 装备。三星还筹备为字线（与晶体管源极局部衔接的线路，担任读取跟写入）资料引入钼（Mo）元素，以此代替钨（W）跟氮化钛（TiN）资料，从而年夜幅下降晶体管的“电阻率”。业内子士表现：“经由过程钨能够增加的层高曾经到达极限。假如应用钼则能够进一步增加 30% 至 40%。现在，TEL 跟 Lam 同样也在这一范畴停止竞争，而 Lam 公司曾经向三星电子供给了多台钼堆积装备。资料业界人士表现:“跟着新技巧的利用，继装备市场之后，资料市场也将阅历一场年夜动乱。重新一代 NAND 闪存开端，不只是先驱体，蚀刻液剂、能源气体等也将迎来大批变更。”
推荐文章
){kind=link}
){kind=link}
){kind=link}
){kind=link}